京都福知⼭テクノロジーセンターⅠ期棟は、最先端の半導体プロセスに対応する要素技術開発の強化をめざし、2013年12⽉に開設。Ⅰ期棟開設から10年の節⽬を迎え、市場環境やお客様から求められる技術⽔準も⼤きく変化するなかで、堀場エステック福知山テクノロジーセンターⅡ期棟は、コア技術であるガス流量制御や液体気化技術の⾼度化と、次世代技術の強化を⽬的に、1.現有機能の拡大、2.新製品開発機能の追加、3.産学協働の促進を実現する新棟として増築しました。
研究所らしさを外観デザインに取り入れながら、渡り廊下にてⅠ期棟と一体的な外観・利用が可能な計画としました。内部空間は「より意欲⾼く働ける快適な拠点への進化」を目指し、開放感のある吹き抜けのエントランスや採光性の⾼いテラスなど、自然環境を取り込みながら意匠と機能を両⽴したデザインを追求。多⽬的スペースとしても活⽤できるカフェテリアも備え快適な空間を実現し、意欲⾼く働くことができる環境の実現を目指しました。
事業構想、設計業務、施設運用に関することなどお気軽にお問い合わせください。
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